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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 464 - 466 (3page)
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As a promising device for high speed communication, HEMT has got many intention. But, it is long way to field- application of HEMT because of instability of the device. Especially, surface of InP-HEMT (InAlAs) is very unstable and bandgap of InP is narrower than conventional GaAs-HEMT, so kink effect is very severe. Even though high freque ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
1. Introduction
2. Device & Passivation Process
3. Result & Analysis
4. Conclusion
References
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