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Investigation on the Electric Properties of a-Si on c-Si by used PECVD
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2012 .06
Pecvd 방법으로 제작한 Si3N4 / InP Metal-iNsulator-Semiconductor 다이오드의 전기적 특성 ( A Study on the Electrical Characteristics of Pecvd-Grown Si3N4 / InP Metal-iNsulator-Semiconductor Diode )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )
전자공학회논문지-A
1996 .05
Optical Properties of Si nanocrystalline using PECVD
대한전기학회 학술대회 논문집
2011 .11
PECVD법에 의해 증착된 Ti-Si-C 코팅막내의 Si 함량과 증착온도에 따른 미세경도와 탄성계수변화
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2004 .05
PECVD를 이용한 Si₃N₄ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
PECVD 법에 의해 증착된 Ti-Si-C 코팅막 내의 증착 온도와 r.f. Power에 따른 특성 변화
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2004 .11
PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 제조 및 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
60㎒ PECVD법에 의한 μc-Si:H 박막의 저온증착 및 태양전지 응용
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )
전자공학회논문지-A
1994 .12
TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Si3N4 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성 ( Characteristic of PECVD-WNx Thin Films Deposited on Si3N4 Substrate )
전자공학회논문지-D
1999 .07
Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
ECR-PECVD로 증착한 a-Si : H/Si으로 부터의 가시 PHotoluminescence
한국재료학회지
1998 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
PECVD 방법으로 제조된 비정질 Si 박막의 RTP를 이용한 결정화 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .07
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