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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.9
- 수록면
- 1,033 - 1,037 (5page)
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GaN-based sensors have been widely investigated thanks to its potential in detecting the presence of hydrogen. In this study, we fabricated hydrogen gas sensors with AlGaN/GaN heterojunction and investigated how the sensing performance to be affected by SiN surface passivation. The gas sensor employed a high electron mobility transistors (HEMTs) with 30 nm platinum catalyst as a gate to detect the hydrogen presence. SiN layer was deposited by inductively-coupled chemical vapor deposition as post-passivation. The sensors with SiN passivation exhibited hydrogen sensing characteristics with various gas flow rates and concentrations of hydrogen in inert background gas at 200 ℃ similar to the ones without passivation. Aside from quick response time for both sensors, there are differences in sensitivity and recovery time because of the existence of the passivation layer. The results also confirmed the dependence of sensing performance on gas flow rate and gas concentration.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. ESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
References
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
Jihyun Kim / 2003 / Hydrogen-sensitive GaN Schottky diodes / Solid-State Electronics 47(6):1069~1073
Soohwan Jang / 2016 / Enhanced Hydrogen Detection Sensitivity of Semipolar (112¯2) GaN Schottky Diodes by Surface Wet Etching on Schottky Contact / Journal of The Electrochemical Society 163(8):B456~B459
B.S. Kang / 2005 / AlGaN/GaN-based diodes and gateless HEMTs for gas and chemical sensing / IEEE Sensors Journal 5(4):677~680
I. Daumiller / 1999 / Evaluation of the temperature stability of AlGaN/GaN heterostructure FETs / IEEE Electron Device Letters 20(9):448~450
Junghui Song / 2005 / Pt-AlGaN∕GaN Schottky diodes operated at 800°C for hydrogen sensing / Applied Physics Letters 87(13):133501~133503
Soohwan Jang / 2016 / Enhanced Hydrogen Detection Sensitivity of Semipolar (112¯2) GaN Schottky Diodes by Surface Wet Etching on Schottky Contact / Journal of The Electrochemical Society 163(8):B456~B459
B.S. Kang / 2005 / AlGaN/GaN-based diodes and gateless HEMTs for gas and chemical sensing / IEEE Sensors Journal 5(4):677~680
I. Daumiller / 1999 / Evaluation of the temperature stability of AlGaN/GaN heterostructure FETs / IEEE Electron Device Letters 20(9):448~450
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