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학술대회자료
저자정보
조성재 (서울대학교) 윤장근 (서울대학교) 김윤 (서울대학교) 이동화 (서울대학교) 이종덕 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2008년 정기총회 및 추계종합학술대회
발행연도
2008.11
수록면
381 - 382 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2009

FinFET에 기반한 낸드 플래시 메모리 소자에서의 채널 길이 및 핀 폭에 대한 채널 전위 자가부양 의존성
조성재 ,  심원보 ,  이정훈 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2009.11 학술대회자료

2008

채널 길이와 도핑 농도에 따른 낸드 플래시 메모리 소자의 결합비 의존성 연구
조성재 ,  윤장근 ,  김윤 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2008.11 학술대회자료

초록· 키워드

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In the programming operation of the NAND-type flash memory array, the program-inhibited cell is biased with positive voltages on the source and drain junction while program voltage is applied on the control gate, which is called as self-boosting channel program inhibition. As the device is scaled d ... 전체 초록 보기

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