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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 973 - 976 (4page)
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We studied dielectric relaxation phenomenon of ITO/Alq3/Al structure OLED. Alq₃ is an electron transport and emissive material for ITO/Alq₃/Al structure OLED. We analyzed the dielectric relaxation of organic light emitting diodes using impedance characteristics measurement. And we obtained equivalent circuit of ITO/Alq₃/Al. Impedance characteristics was measured complex impedance Z and phase θ in the frequency range of 40~10? ㎐. Equivalent circuit of ITO/Alq₃/Al was analyzed from measurement of resistance components and conductance components. We obtained complex electrical conductivity, dielectric constant, and loss tangent (tan.) of the device at room temperature. From these analyses, we are able to interpret a conduction mechanism and dielectric relaxation contributed by an interfacial polarization and dipole orientation polarization. Consequently, dielectric relaxation phenomenon of OLED will be able to provide basic property of matter.
목차
Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENTAL
3. RESULTS and DISCUSSIONS
4. Conclusions
References
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