Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices

Byung-Gook Pa ,  k ,  Woo Young Choi 외 1명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2006 .07

Submicron MOS Devices

Dong Hyuk Ju

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Effects of Channel Electron In-Plane Velocity on the Capacitance-Voltage Curve of MOS Devices

Ling-Feng Mao

[ETRI] ETRI Journal

2010 .02

MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )

최원은 ,  장의구 ,  이종인

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

광유 중 절연파괴전압의 분산과 절연파괴진전 과정의 분석

임동영 ,  박숭규 ,  박철호 외 3명

조명·전기설비학회논문지

2015 .06

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )

김진섭 ,  이우일 ,  이대우 외 1명

전자공학회지

1985 .07

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET

Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2017 .06

The Estimation of the Dielectric Strength Decrease of the Solid-solid Interfaces by using the Applied Voltage to Breakdown Time Characteristics

Cheol Gi Shin ,  Duck Kweon Bae

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2007 .01

D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계

성만영

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

불평등전극계에서 뇌임펄스전압에 대한 N₂기체의 절연파괴 특성

이복희 ,  이봉 ,  조정현

한국조명·전기설비학회 학술대회논문집

2008 .05

MOS Processing

이종덕

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2017 .06

향상된 항복특성을 위한 수평형 파워 MOS의 설계

김대종

한국컴퓨터산업교육학회 학술대회

2003 .01

진공에서 전극 재질에 따른 절연파괴 전압 특성 파악

이승수 ,  허준 ,  윤재훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2008 .10

게이트 물질을 달리한 MOS소자의 플라즈마 피해에 대한 신뢰도 특성 분석

윤재석

한국정보통신학회논문지

2000 .06

A Study on the Design of the VDC for Memory Devices

Hae-Jun Seo ,  Young-Woon Kim ,  Tae-Won Cho

대한전자공학회 학술대회

2008 .05

질화 , 재산화된 MOS 소자의 시간종속 절연항복 특성 ( Time-Dependent Dielecric Breakdown of Nitreded , Reoxided MOS Devices )

이정석 ,  장창덕 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1997 .01