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기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
질화와 재산화 조건에 따른 모스 소자의 전기적 특성 변화 ( Electrical properties variations of Nitrided , Reoxided MOS devices by Nitridation & Reoxidation Condition )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
질화와 재산화 조건에 따른 모스 소자의 전기적 특성변화
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
Reduction of Breakdown Voltage in I-MOS Devices
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2006 .07
MOS Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
질화된 MOS 커패시터의 C-T 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
질화된 MOS커패시터의 C-T특성 ( C-T Characteristics of Nitridized MOS Capacitor )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
MOS 영상 소자의 출력 회로 분석 ( Analysis of Output Circuits of the MOS Image Sensor )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
게이트 물질을 달리한 MOS소자의 플라즈마 피해에 대한 신뢰도 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2000 .06
384X485개의 화소를 가지는 MOS 영상 감지소자 ( A MOS Image Sensor with 384X485 Pixels )
전자공학회논문지
1988 .11
자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
전자공학회지
1984 .11
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