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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Hakkee Jung (Kunsan National University) Ohshin Kwon (Kunsan National University)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.9 No.1
발행연도
2017.6
수록면
326 - 329 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2018

Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 ㎚ Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Sima Dimit ,  ijev Journal of information and communication convergence engineering 2018.03 학술저널

2017

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2015

Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료
Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Analysis of Channel Dimension Dependent Threshold Voltage for Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료
Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

초록· 키워드

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A model for the flat band voltage dependent breakdown voltage of sub-10 nm doublegate MOSFETs (DGMOSFETs) is proposed in this paper. Flat band voltage of gates is process dependent parameter by unintended process variables and uncertainties. Since variation of flat band voltage significantly effects on current-voltage characteristics, breakdown voltage depends on flat band voltage. Since avalanche is not occurred in sub- 10 nm DGMOSFETs, breakdown by punch-through effect arises from lowering of potential energy emerges even in the region of low drain voltage. The drain breakdown voltage becomes very small with dramatic down scaling due to abrupt increasing of tunneling current. The new model is used to investigate the flat band voltage dependent breakdown voltage with parameters of channel dimension and top/bottom oxide thickness of sub-10 nm DGMOSFET. The breakdown voltage is decreased with reduction of channel length and flat band voltage and increase of channel thickness. The breakdown voltage is varied for top/bottom gate oxide thicknesses.
#DGMOSFET #breakdown voltage #threshold voltage #flat band voltage

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
Ⅱ. Modeling Scheme for asymmetric DGMOSFET
Ⅲ. RESULTS
Ⅳ. DISCUSSION AND CONCLUSIONS
REFERENCES

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