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학술저널
저자정보
이강호 (Qualcomm Incorporated)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회지 電子工學會誌 第39卷 第7號
발행연도
2012.7
수록면
40 - 47 (8page)

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목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction): STT-MRAM의 메모리 셀
Ⅲ. STT-MRAM의 단위 셀 (bitcell)과 읽기/쓰기 마진 (margin)
Ⅳ. 고성능 STT-MRAM을 위한 고려 사항
Ⅴ. Embedded STT-MRAM의 Scalability: 수직자화 MTJ의 도입
Ⅵ. 결론: 임베디드 STT-MRAM의 상용화 가능성
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