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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 59 - 59 (1page)
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Aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) is studied with the structure of a glass/Al/SiO₂/a-Si, in which the SiO₂ layer has micron-sized laser holes in the stack. An oxide layer between aluminum and a-Si thin films plays a significant role in the metal-induced crystallization (MIC) process determining the properties such as grain size and preferential orientation. In our case, the crystallization of a-Si is carried out only through the key hole because the SiO₂ layer is substantially thick enough to prevent a-Si from contacting aluminum. The crystal growth is successfully realized toward the only vertical direction, resulting a crystalline silicon grain with a size of 3{sim}4{mu}m under the hole. Lateral growth seems to be not occurred. For the AIC experiment, the glass/Al/SiO₂/a-Si stacks were prepared where an Al layer was depo ... 전체 초록 보기
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