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본 실험에서는 CuInSe₂ 3원물질을 화학량론적 조성비가 되도록 박막을 제조하기 위해 각 단위원소를 원자비에 맞춰 전자선가열 진공증착기를 사용하여 Cu, In, Se 순으로 증착하였다. 90?C이하의 온도에서 CuIn₂, In상이 주를 이루며, 100?C이상에서는 Cu_{11}In_9상이 나타나기 시작하고 In상이 증가하였다. 10^{-3}torr이상의 진공석영관에서 열처리와 동시에 Selenization을 통해 제작된 CuInSe₂박막은 열처리온도 250?C에서는 CuxSe, CuSe등의 2차상들이 나타나다가 450?C이상의 고온에서 CuInSe₂ 단일상을 형성하였다. 이로부터 진공중에서 반응을 시켰을 때, 더 낮은 온도에서 반응이 일어나고 열역학적으로 보다 안정한 ... 전체 초록 보기

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