비대칭 DGMOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압이하 스윙 분석

정학기

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정학기 (군산대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제19권 제3호

발행연도: 2015.3

수록면: 581 - 586 (6page)

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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 구조를 달리 제작할 수 있어 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가한다는 장점이 있다. 특히 채널길이를 감소하였을 경우 문턱전압이하 스윙의 급격한 증가로 인한 특성저하 현상을 감소시킬 수 있다. 그러나 스켈링 이론에 따라 채널길이 감소에 따라 채널두께도 변화되어야하며 이에 문턱전압이하 스윙이 변화하게 된다. 그러므로 채널길이와 채널두께의 비가 문턱전압이하 스윙을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압이하 스윙을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였으며 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압이하 스윙을 계산한 결과 채널길이와 채널두께의 비에 따라 전도중심과 문턱전압이하 스윙이 변화한다는 것을 알 수 있었다.

#비대칭 이중게이트 #문턱전압이하 스윙 #전도중심 #채널길이 #채널두께 #asymmetric double gate #subthreshold swing #conduction path #channel length #channel thickness

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G. Deng / 2013 / Binary Multiplication Using Hybrid MOS and Multi-Gate Single-Electron Transistors / IEEE Trans. on VLSI systems 21(9):1573~1582

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K. K. Nagarajan / 2014 / Investigation of tunable chracteristics of independently driven double gate finfets in analog/RF domain using TCAD simulations / J. of Compitational and Theoretical Nanosciences 11(2):821~826

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Hak-Kee Jung

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