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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.7
- 수록면
- 1,311 - 1,316 (6page)
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본 연구에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이에 따른 문턱전압이동에 터널링전류가 미치는 영향을 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm 이하로 감소하면 터널링 전류는 급격히 증가하여 문턱전압이동 등 2차효과가 발생한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우에도 터널링 전류에의한 문턱전압이동은 무시할 수 없게 된다. 차단전류는 열방사전류와 터널링 전류로 구성되어 있으며 채널길이가 작아질수록 터널링전류의 비율은 증가한다. 본 연구에서는 터널링 전류를 분석하기 위하여 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하였으며 채널 내 전위분포를 해석학적으로 유도하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널길이 가 작아질수록 터널링 전류의 영향에 의한 문턱전압이동이 크게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다. 특히 하단게이트 전압 등에 따라 터널링 전류에 의한 문턱전압 값은 변할지라도 문턱전압이동은 거의 일정하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위 및 터널링 전류 모델
Ⅲ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 터널링 전류 및 문턱전압이동 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCE
참고문헌 (10)
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[인터넷자원] - Bodnara / / 10 nm FinFET added to Samsung Foundry‘s Process Roadmap
[학술지(정기간행물)] - W.S.Cho / 2015 / The Effects of Direct Sourceto-Drain Tunneling and Variation in the Body Thickness on (100) and (110) Sub-10-nm Si Double-Gate Transistors / IEEE Electron Device Letters 36 (5) : 427 ~ 429
[학술지(정기간행물)] - N. Bagga / 2015 / An Analytical Model for Tunnel Barrier Modulation in Triple Metal Double Gate TFET / IEEE Trans. Electron Devices 62 (7) : 2136 ~ 2142
[학술지(정기간행물)] - Z.Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519
[단행본] - L.D.Landau / 1958 / Quantum Mechanics / Addison-Wesley : 174 ~
[학술지(정기간행물)] - W.S.Cho / 2015 / The Effects of Direct Sourceto-Drain Tunneling and Variation in the Body Thickness on (100) and (110) Sub-10-nm Si Double-Gate Transistors / IEEE Electron Device Letters 36 (5) : 427 ~ 429
[학술지(정기간행물)] - N. Bagga / 2015 / An Analytical Model for Tunnel Barrier Modulation in Triple Metal Double Gate TFET / IEEE Trans. Electron Devices 62 (7) : 2136 ~ 2142
[학술지(정기간행물)] - Z.Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519
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