지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.7
- 수록면
- 437 - 440 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
1998
고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )
이철진
,
박정훈
,
김성진
대한전자공학회 학술대회
1998.07
학술대회자료
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
이철진
,
박정훈
,
김성진
대한전자공학회 학술대회
1998.06
학술대회자료
In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD
이철진
,
엄문종
,
성만영
대한전자공학회 학술대회
1998.01
학술대회자료
1997
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
이철진
,
엄문종
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
이철진
,
엄문종
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
이철진
,
엄문종
,
성만영
대한전기학회 학술대회 논문집
1997.11
학술대회자료
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
-
축적된 Ge층이 Si1-xGex / Si의 산화막 성장에 미치는 영향 ( The Effects of Piled up Ge-rich Layer on the Oxide Growth of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
-
IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
Sil-xGex / Si 에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포 ( The Ge Redistribution During Dry Oxidation of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
In-Situ Phosphorus Doping on Si1-xGex Epitaxial Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System by Using LPCVD
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
-
In-Situ Phosphorus Doping Effect on Si0.8 Ge0.2 Epitaxial Growth by ultraclean LPCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
전기학회논문지
1998 .12
-
Si1-xGex 층의 건식산화 동안 Ge 재 분포와 상호 확산의 영향
전기전자재료학회논문지
2005 .01
-
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
THE GROWTH , PROPERTIES AND APPLICATIONS OF Si1-xGex ALLOYS
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
-
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
-
Si₁-xGex FinFET에서 Fin 내부의 불균일한 Ge 비율에 따른 GIDL 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
-
Si1-xGex / Si 구조에서의 Hall 이동도 ( Hall Mobility in Si1-xGex / Si Structure )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
-
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
-
Si-xGex P-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델 ( An Analytical Model of Short Channel Effects of Si1-xGex P-MOSFETS )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
-
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
-
비정질 Si1-xGex의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
한국통신학회 공개발표회 및 토론회
1997 .01
-
비정질 Si1-XGeX의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
한국통신학회 학술대회논문집
1997 .01
-
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0