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p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설 ( GIDL ) 전류 열화 ( Gate-Induced-Drain-Leakage ( GIDL ) Current Degradations of Drain-gate Overlap Region in MOSFET's )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
p-MOSFET에서 NBTI 스트레스의 GIDL 전류에 대한 영향 분석
한국통신학회 학술대회논문집
2008 .11
고속용 p-MOSFET에서 NBTI 스트레스에 의한 GIDL 전류의 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2009 .02
Instability in GIDL Current of Thermally-Nitrided-Oxide N-MOSFET's
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인
전기학회논문지
2008 .02
고속용 p-MOS 트랜지스터에서 NBTI 스트레스에 의한 특성 인자의 열화 분석
한국통신학회논문지
2010 .01
박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
MOSFET에서 트랩의 전계와 SRH 전류 변화에 따른 TAT GIDL 전류 변화 분석 및 검증
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
P-채널 MOSFET에서 게이트와 기판 전류의 시간에 따른 복원 특성
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화
한국정보통신학회논문지
2007 .05
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