Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD

손성진 ,  이철로 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성

진정근 ,  이승재 ,  김강호 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD

In Hwan Lee ,  Cheul Ro Lee ,  Seong Jin Son 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD

이재승 ,  배성범 ,  함성호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

The Electrical Properties of Se-Doped AlAs Epitaxial Layers Grown by MOCVD

B. C. Lee ,  S. S. Cha ,  Y. G. Shin 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaN 에피택셜 층의 열처리 효과

하민우 ,  석오균 ,  안우진 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .11

GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )

신창용 ,  백병준

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .01

PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN

S. K. Kang ,  H. K. Cho ,  M. W. Pa 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Deposition of epitaxial SiC film using thermal MOCVD method

남상훈 ,  현재성 ,  지해근 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2006 .04

Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석

신희연 ,  정성훈 ,  유지범 외 2명

한국표면공학회지

2003 .04

활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

이상진 ,  변동진 ,  홍창희 외 1명

한국재료학회지

2001 .01

Time Evolution of a High-temperature GaN EpilayerGrown on a Low-temperature GaN Buffer Layerusing a Low-pressure MOCVD

조성일 ,  권명석 ,  장경화

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2006 .01

승화법에 의한 GaN의 기상에피텍시 성장

김선태 ,  문동찬

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Thermal Activation Energies of GaN:Mg grown via MBE and MOCVD techniques

류대열 ,  김도진 ,  이석헌 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD

박현규 ,  강호재 ,  진정근 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD

노삼규 ,  이철로 ,  박성은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .11

Homoepitaxial Growth of Gan / InGaN Epitaxial Thin Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on MOVPE-Grown GaN

유명철

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01