The Characterization of ZnSe / GaAs Epilayers Grown by Hot wall Epitaxy

Y. J. Shin ,  C. J. Youn ,  H. K. Shin 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

SI GaAs : Cr과 Undoped GaAs의 깊은 준위 ( Deep Levels in Semi-Insulating GaAs : Cr and Undoped GaAs )

이진구

전자공학회논문지

1988 .11

E-Beam 증착된 ZnSe 다결정 박막에 대한 연구 ( Studies on Thin Films ZnSe on GaAs Prepared by Electron Beam Evaporation )

김태경 ,  김택 ,  이종원 외 2명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

E-Beam 증착된 ZnSe 다결정 박막에 대한 연구 ( Studies on Thin Films of ZnSe on GaAs Prepared by Electron Beam Evaporation )

김태경 ,  김택 ,  이종원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

ANSOTROPIC LATTICE RELAXATION OF ZnSe EPILAYER GROWN ON (001) GaAs SUBSTRATE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Kim ,  C.S. ,  Noh 외 12명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

Undoped 표면층을 갖는 전력용 GaAs MESFET 의 제작에 관한 연구 ( A Study on Fabrications of GaAs Power MESFETs with an Undoped Surface Layer )

김상명 ,  이일형 ,  신석현 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .01

Temperature Dependence of Photoluminescence Peak form Carbon-Doped GaAs Epilayers Grown on High Miller Index GaAs Substrates

Shin Ho Cho ,  Chang Sik Son ,  Dal Jin Lee 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

ZnSe / GaAs 박막의 두께 변화에 따른 Reflectance 스펙트럼 연구

송정훈 ,  장수경 ,  심은덕

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -

Byung Don Min ,  Mann Jang Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

양전자수명측정법에 의한 고농도 CL 도핑한 ZnSe의 DX중심의 구조연구

조양구 ,  김용일 ,  임재영 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

THE GROWTH OF HIGH RESISTIVE UNDOPED InP EPILAYER BY CHLORIDE VAPOR PHASE EPITAXY

Jang ,  Young-Geun ,  Kim 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

MBE법으로 제작한 ZnSe/GaAs 이종접합 태양전지에 관한 연구

이홍찬 ,  이상태 ,  오진석 외 2명

한국마린엔지니어링학회 학술대회 논문집

2006 .06

Low Temperature ( LT ) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 ( The Growth and Its Characteristics of Low Temperature ( LT , 250˚C ) GaAs Epilayer )

김태근 ,  박정호 ,  조훈영 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .09

저온 MBE 방법으로 성장한 undoped 및 Si-doped GaAs layer

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Excimer Laser-Assisted In Situ Phosphorous Doped Si_(1-x)Ge_x Epilayer Activation

Jicheul Bae

[ETRI] ETRI Journal

2003 .08

승화법에 의한 ZnSe 단결정 성장과 특성

홍명석 ,  홍광준

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이문기 ,  김봉열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Effects of ZnSe or CdSe/ZnSe Core Shell Quantum Dots the Efficiency of Polymer Solar Cells

전지혜 ,  왕동환 ,  이행근 외 3명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2009 .04