Field-Drived Blue Shift of Excitonic Photoluminescence in Si-Ge Quantum Wells and Superlattices

J. Y. Kim ,  S. Fukatsu ,  N. Usami 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류

김택성 ,  길연호 ,  이훈기 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Quantum Well 의 Excitonic 광흡수와 그를 이용한 광스위치소자

권오대

한국통신학회 워크샵

1989 .01

SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류

김택성 ,  길연호 ,  이훈기 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성

정종완

전기전자재료학회논문지

2008 .01

Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thickness of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications

Bongki Mheen ,  Young-Joo Song ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .08

Selective Etching of SiGe on SiGe/Si Heterostructures

Gee Keun Chang

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1990 .01

초고속 구동을 위한 Ultra-thin Strained SGOI n-MOS 트랜지스터 제작

맹성렬 ,  조원주 ,  오지훈 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

Si/SiGe계 가변형 광스위치의 최적화 구조 설계

부성재 ,  한원택

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Si/SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터

이수정 ,  이점식

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY AND PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF InGaAs STRAINED QUANTUM WIRES ON GaAs VICINAL (110) SUBSTRATES

Shim ,  Byoung-R. ,  To 외 10명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

A New Strained-Si Channel High Voltage MOSFET for High Performance Power Applications

Young-Kyun Cho ,  Tae Moon Roh ,  Jongdae Kim

[ETRI] ETRI Journal

2006 .04

Hybrid (QDs / dye) sensitized TiO₂ nanofibrous excitonic solar cells

편용범 ,  강용수 ,  P. Sudhaga 외 1명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2012 .04

Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy

Yun ,  Sun-Jin ,  Kim 외 9명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

S / SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터 ( A Novel Single Electron Transistor Using Si / SiGe )

이수정 ,  이점식

대한전자공학회 학술대회

1997 .07

A Design Evaluation of Strained Si-SiGe on Insulator (SSOI) Based Sub-50 nm nMOSFETs

Muhammad Nawaz ,  Mikael Ostling

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2005 .06

1.3μ InGaAsP/InP Strained Multi-Quantum Well Lasers with Short Turn-on Delay Time Operation at High Temperature due to an n-Type Modulation-doped Effect

K. Nakaha ,  a ,  T. Taniawata 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )

김경염 ,  이병호 ,  이찬호

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )

김경염 ,  이병호 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장

강진영 ,  박찬우 ,  김상훈 외 2명

전기전자재료학회논문지

2003 .01