DIBL 현상을 고려한 MODFET의 문턱전압 모델과 기판 불순물농도의 추출법 ( New Model for the Threshold Voltage Shift and Extraction Method for the Background Doping Density In MODFET`s )

마병진 ,  김해택 ,  김동명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

A Model for Capacitance-Voltage Characteristics of MODFET`s

Kwang Mean Pa ,  k ,  Won Sup Chung 외 2명

TENCON 87 - Computers and Communications Technology Toward 2000

1997 .01

유한 차분법을 이용한 MODFET의 이차원적 해석 ( Two-Dimensional Analysis of the Characteristics at Heterojunction of MODFET Using FDM )

정학기 ,  이문기 ,  김봉렬

전자공학회논문지

1988 .11

a-Si : H/a-SiN : H 구조 MODFET의 조성 및 그 특성 ( Fabrication of MODFET with a-Si : H/a-SiN : H Structure and Its Characteristics )

강석진 ,  최시영

전자공학회논문지-A

1993 .06

몬테칼로 알고리듬을 이용한 MODFET소자의 전달특성분석 : 채널길이에 따른 특성분석 ( Analysis of MODFET Transport using Monte-Carlo Algorithm : Gate Length Dependent Characteristics )

정학기

전자공학회논문지-A

1993 .04

MODFET의 AlxGa1-xAs Layer내의 특성 모델 ( A Model for Characteristics in the AlxGa1-xAs Layer of MODFET's )

박광민 ,  오윤경 ,  김홍배 외 1명

전자공학회논문지

1987 .05

Basic Research on the Growth of GaAs on Si and the Experimental Fabrication of GaAs MODFET

成萬永 ,  林敬文

전기학회논문지

1992 .11

Modified Materka model를 이용한 GaN MODFET 대신호 모델링

李秀雄 ,  范鎭旭

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

OHMIC METALLIZATION BEHAVIOR IN AlGaAs / GaAs MODFET STRUCTURE

S. H. Pa ,  k ,  J. L. Lee 외 8명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Fabrication and Characterization of Antidot-Passivated MODFET

황성우 ,  Y. S. Yu ,  W. I. Ha 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Optical Controlled AlGaA / GaAs / InGaAs Pseudomorphic MODFET

H. J. Kim ,  S. H. Song ,  D. M. Kim 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Self-consistent 앙상블 몬테카를로 시뮬레이션에 의한 Submicron AlGaAs/GaAs MODFET에서의 전자 전송특성과 전기적 특성의 해석 ( An Analysis of Electron Transport Properties and Electrical Characteristics in Submicron AlGaAs/GaAs MODFET`s Using a Self-consistent Ensemble Monte Carlo Simulation )

박성호 ,  한백형

전자공학회논문지-A

1992 .05

Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET소자의 광반응 ( Optical Responses of Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET )

김회종 ,  김동명 ,  정해양 외 8명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET소자의 광반응 ( Optical Responses of Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET )

김희종 ,  김동명 ,  정해양 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

나노구조 이중게이트 FinFET의 크기변화에 따른 문턱전압이동 및 DIBL 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2007 .04

채널 영역의 불균일 농도를 고려한 MOSFET 문턱전압 모델

趙明石

전기학회논문지 C

2002 .11

Reduction of Gate Leakage Current in AlGaAs / InGaAs DH-MODFET by Compositional Grading of InxGa ( 1-x ) As QW Channel

유태경 ,  이원상 ,  이호형 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

무접합 원통형 게이트 MOSFET에서 문턱전압이동 분석을 위한 문턱전압이하 전류 모델

정학기

한국정보통신학회논문지

2017 .04

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑분포의 형태에 따른 문턱전압특성분석

정학기 ,  한지형 ,  이재형 외 3명

한국정보통신학회논문지

2011 .06

박막트랜지스터의 병렬형 가역과 비가역 문턱전압 이동에 대한 모델링

정태호

전기전자재료학회논문지

2016 .01