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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 실험 및 결과 고찰
Ⅲ. TDDB 특성 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
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N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성 ( TDDB Properties of MOS Capacitors with N2O Oxynitride Layer )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
N2O 질화산화막의 성장 방법 및 면적에 따른 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
얇은 산화막의 광 조사후 TDDB특성에 관한 연구 ( The reserch on the TDDB of thin film after the irradiation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity )
전자공학회논문지
1989 .05
N₂O 가스에서 열산화에 의해 형성된 oxynitride막의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
플라즈마 실리콘 OXYNITRIDE막의 구조적 특성에 관한 고찰
전기학회논문지
1992 .05
습식 산화한 LPCVD Silicon Nitride층의 물리적, 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
N / O ( Si3N4 / SiO2 ) 유전막의 Tddb 특성에 미치는 상부산화조건의 영향 ( Effects of Top OxIdation Condition on Tddb Characteristics of N / O ( Si3N4 / SiO2 ) Dielectric Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
N/O(Si₃N₄/SiO₂) 유전막의 TDDB 특성에 미치는 상부산화조건의 영향
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits
한국산업정보학회논문지
2012 .09
HK/MGFET’s 의 Accumulation TDDB Modeling
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
얇은 절연막의 TDDB 분석과 전기적 특성
산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소
1988 .01
N2O 산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 전기적 및 신뢰성 특성 ( Electrical and Reliability properties of MOS Capacitors with N2O oxides )
전자공학회논문지-A
1994 .06
플라즈마 CVD 방법에 의한 oxynitride막의 특성에 관한 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
RTP로 $N_2$O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성
한국재료학회지
1992 .01
Reliability Analysis Framework for Time Dependent Dielectric Breakdown
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .02
$N_{2}O$ 기체로 제조한 Oxynitride 절연체의 물질적 전기적 특성
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
온도 의존성을 반영한 개선된 TDDB 수명 예측 모델 개발
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
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