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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박찬원 (공과대학 전기공학과) 김복헌 (전기공학과 대학원)
저널정보
강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 제8권
발행연도
1988.1
수록면
23 - 30 (8page)

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In this paper, the characteristics of electrical breakdown and TDDR (Time Dependant Dielectric Breakdown) were studied to evaluate stability and reliability of thin insulator films such as oxide and nitride. As the oxide film thickness decreased, the electrical breakdown field was increased proportioning to its reverse square root, ${d^{-\frac{1}{2}}}$. As for the temperature dependance of breakdown field, its field was inclined to decrease as temperature increased. It also showed that oxide charge (Qss) was changed by stress field and stress time. Consequently, TDDB characteristics and breakdown mechanism proved the improvement of reliability and stability and provided the accurate analysis to predict a device life time.

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