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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 1994년도 추계종합학술대회 논문집 Vol.17 No.2
발행연도
1994.11
수록면
918 - 921 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (19)

1997

단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 단결정 < 100 > GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs ) ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing ) 3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm ) 3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation ) Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon

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목차

Abstract
제 1 장 서론
제 2 장 고체내에 주입된 이온의 산란
제 3 장 시뮬레이션 결과
제 4 장 결론
REFERENCES

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