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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.1
- 수록면
- 473 - 474 (2page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (19)
2001
1998
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1998.03
학술저널
1997
단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.06
학술대회자료
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1997.05
학술저널
Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
1996
단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
손명식
,
송영진
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
Monte Carlo Calculation of Implanted Boron and its Generating Point Defect Distributions in Crystalline Silicon
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1996.01
학술대회자료
1995
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.12
학술대회자료
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.11
학술대회자료
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
손명식
,
이준하
,
송영진
외 1명
전자공학회논문지-A
1995.08
학술저널
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
권오근
,
이준하
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1995.01
학술대회자료
1994
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
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대한전자공학회 학술대회
1998 .06
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단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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Diffusion / Ion Implantation
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
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낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )
전자공학회논문지-SD
2001 .02
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Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : Phosphorus and Silicon Self Implants over Commonly Used Energy and Dose Range
Journal of Electrical Engineering and information Science
1999 .06
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Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process: Phosphorus and Silicon Self Implants over Commonly Used Energy and Dose Range
Journal of Electrical Engineering and Information Science
1999 .06
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A Study on Development of Advanced Environmental-Resistant Materials Using Metal Ion Processing
Journal of Mechanical Science and Technology
2006 .10
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이온주입 제어에 의한 재료특성 개선에 관한 연구
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)
2008 .11
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Various surface modifications of polymer by ion implantation
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2006 .04
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저 에너지 이온 주입의 개선을 위한 변형된 감속모드 이온 주입의 안정화 특성
전기전자재료학회논문지
2003 .01
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이온주입 공정을 이용한 4H-SiC p-n Diode에 관한 시뮬레이션 연구
전기전자재료학회논문지
2009 .01
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ION IMPLANTATION ON INDUSTRIAL CZ P-TYPE SILICON FOR SCREEN PRINTED SOLAR CELLS
AFORE
2013 .11
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이온주입에 의한 Al5202의 표면특성에 관한 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2006 .06
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Preparation and Properties of Silicon Containing Diamond-like Carbon Films Deposited by Plasma Source Ion Implantation
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
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금속이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2009 .06
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A New Fabrication Process of Field Emitter Arrays Using Silicon Delamination by Hydrogen Ion Implantation
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
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