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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.5
- 수록면
- 382 - 394 (13page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (19)
2001
1998
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1998.03
학술저널
1997
단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.06
학술대회자료
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1997.05
학술저널
Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
1996
단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
손명식
,
송영진
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
Monte Carlo Calculation of Implanted Boron and its Generating Point Defect Distributions in Crystalline Silicon
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1996.01
학술대회자료
1995
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.12
학술대회자료
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.11
학술대회자료
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
손명식
,
이준하
,
송영진
외 1명
전자공학회논문지-A
1995.08
학술저널
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
권오근
,
이준하
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1995.01
학술대회자료
1994
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
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전자공학회논문지-D
1998 .03
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3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
-
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
-
단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
전자공학회논문지-A
1995 .08
-
몬테-카를로(Monte-Carlo) 방법을 적용한 시스템 양립성 분석
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
-
ULSI급 CMOS 소자 특성 분석을 위한 몬테 카를로 이온 주입 공정 시뮬레이션시의 효율적인 가상 이온 발생법
전자공학회논문지-SD
2001 .11
-
3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발 ( Development of Three-Dimensional Monte Carlo Ion implantation Simulator )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
몬테 카를로 목표를 위한 분산 감소 방법
한국통신학회 학술대회논문집
2019 .06
-
단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
이온빔 몬테 카를로 시물레이션 프로그램 개발 및 집속 이온빔 공정 해석
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2012 .04
-
연속 행동공간에서의 몬테-카를로 트리 탐색에 관한 연구
한국통신학회 학술대회논문집
2019 .06
-
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
-
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
-
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
-
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
-
Monte Carlo Simulation of Ion Implantation Profiles Calibrated for Various Ions over Wide Energy Range
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2009 .03
-
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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