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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.3
- 수록면
- 269 - 276 (8page)
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본 논문에서는 내부 정합된 GaN-HEMT를 이용하여 2.65 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 패키지 내부의 정합회로는 고조파 임피던스를 정합하기 위해 적용되었다. 동시에 기본주파수 임피던스가 부분적으로 정합되기 때문에 입력 및 출력 외부 정합회로는 간단해진다. 트랜지스터 패키지의 본드 와이어와 기생 성분은 EM 시뮬레이션을 통해 예측되었다. Doherty 전력증폭기는 48 V의 동작 전압을 인가하였으며, 6.5 ㏈의 PAPR을 갖는 LTE 신호에 대해 2.65 ㎓에서 13.0 ㏈의 전력이득, 55.4 ㏈m의 포화전력, 49.1 %의 효율 및 —26.3 ㏈c의 ACLR 특성을 얻었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 내부 정합회로를 이용한 GaN-HEMT 전력증폭기
Ⅲ. 제작 및 측정결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
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J. Chéron, M. Campovecchio, D. Barataud, T. Reveyrand, M. Stanislawiak, and P. Eudeline, "Harmonic control in package of power GaN transistors for high efficiency and wideband performances in S-band", in European Microw. Conf. pp. 1111-1114, Oct. 2011.
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