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저자정보
윤명구 (성균관대학교) 안철현 (성균관대학교) 조성운 (성균관대학교) 김소희 (성균관대학교) 김예균 (성균관대학교) 조형균 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
1,773 - 1,776 (4page)

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We demonstrate that depending on the channel structure, the addition of multivalent V atoms into ZTO films can induce a dual electrical performance: semi-insulating and semiconducting. Moreover, in order to catch both high mobility and high stability in zinc tin oxide (ZTO)-based thin film transistor (TFT), we fabricated VZTO/ZTO bi-layer TFT in which V is a doping element that can act as a oxygen vacancy suppressor. The VZTO/ZTO bi-layer TFT showed a field effect mobility of 16.9cm²/(V·s), comparable to that of ZTO TFT (15.3cm²/(V·s)). In addition, it showed much better stability (ΔV<SUB>th</SUB> = -0.9 V) under negative bias illumination stress (NBIS) than that of ZTO TFT (ΔV<SUB>th</SUB> = -7.3 V).

목차

Abstract
I. 서론
II. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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