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학술저널
저자정보
공희성 (Korea University) 조경아 (Korea University) 김재범 (Samsung Display) 임준형 (Samsung Display) 김상식 (Samsung Display)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제26권 제3호
발행연도
2022.9
수록면
168 - 173 (6page)

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본 연구에서는 새로운 구조의 dual gate tri-layer split channel 박막트랜지스터를 제작하였다. 전류 구동 능력을 향상시키기 위해 액티브 층의 양쪽에 게이트를 형성하였고 전하이동도를 증가시키기 위하여 액티브 층에서 채널이 형성되는 구간인 첫번째 층과 세번째 층에 전도성이 높은 ITO 층을 배치하였다. 추가적으로 분할 채널을 이용하여 채널의 series 저항을 낮추면서 분할한 채널의 측면에서도 accumulation을 유도하여 전하이동도를 향상시켰다. 기존의 single gate a-ITGZO 박막트랜지스터가 15 ㎠/Vs의 전하이동도를 가지는 반면 dual gate tri-layer split channel 박막트랜지스터는 134 ㎠/Vs의 높은 전하이동도를 가졌다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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