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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.3
- 수록면
- 16 - 20 (5page)
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Ag addition in chalcopyrite materials is known to lead beneficial changes in aspects of structural and electronic properties. In this work, the effects of Ag alloying of Cu(In,Ga)Se₂-based solar cells has been investigated. Wide bandgap (Ag,Cu)(In<SUB>1-x</SUB>,Ga<SUB>x</SUB>)Se₂ (x =0.75~0.8) films have been deposited using a three-stage co-evaporation with various Ag/(Ag+Cu) ratios. With Ag alloying the (Ag,Cu)(In<SUB>1-x</SUB>,Ga<SUB>x</SUB>)Se₂ (x~0.8) films were found to have greater grainsize and film thickness. Device were also fabricated with the (Ag,Cu)(In<SUB>1-x</SUB>,Ga<SUB>x</SUB>)Se₂ (x~0.8) films and their J-V and quantum efficiency measurements were carried out. The highest-efficiency (Ag,Cu)(In<SUB>1-x</SUB>,Ga<SUB>x</SUB>)Se₂ solar cell with Eg > 1.5 eV had an efficiency of 12.2% with device parameters VOC = 0.810 V, JSC = 21.7 mA/cm², and FF = 69.0%.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
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