Selenization 온도가 Cu₂ZnSnSe₄ 박막의 특성에 미치는 영향

여수정; 강명길; 문종하; 김진혁

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자료유형: 학술저널

저자정보: 여수정 (전남대학교) 강명길 (전남대학교) 문종하 (전남대학교) 김진혁 (전남대학교)

저널정보: 한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.3 No.3

발행연도: 2015.9

수록면: 97 - 100 (4page)

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The kesterite Cu<SUB>2</SUB>ZnSnSe<SUB>4</SUB> (CZTSe) thin film solar cells were synthesized by selenization of sputtered Cu/Sn/Zn metallic precursors on Mo coated soda lime glass substrate in Ar atmosphere. Cu/Sn/Zn metallic precursors were deposited by DC magnetron sputtering process with 30 W power at room temperature. As-deposited metallic precursors were placed in a graphite box with Se pellets and selenized using rapid thermal processing furnace at various temperature (480°C~560°C) without using a toxic H2Se gas. Effects of Selenization temperature on the morphological, crystallinity, electrical properties and cell efficiency were investigated by field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction (XRD), J-V measurement system and solar simulator. Further details about effects of selenization temperature on CZTSe thin films will be discussed.

#Cu< #SUB> #2< #/SUB> #ZnSnSe< #SUB> #4< #/SUB> #Thin film solar cells #Sputtering #Selenization temperature

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