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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.3
- 수록면
- 27 - 31 (5page)
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It is known that sulfide at the Cu(In,Ga)Se₂ (CIGSe₂) surface plays a positive role in CIGSe₂ solar cells. We investigated the substitution of S with Se on the CIGSe₂ surface in S atmosphere. We observed that the sulfur content in the CIGSe₂ films changed according to sulfurization temperature and Cu/(In+Ga) ratio. The sulfur content in the CIGSe₂ films increased with increasing the annealing temperature and Cu/(In+Ga) ratio. Also Cu migration toward the surface increased at higher temperature. Since high Cu concentration at the CIGSe₂ surface is detrimental role, it is necessary to reduce the S annealing temperature as low as 200°C. The cell performance was improved at 200°C sulfurization.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 토론
4. 결론
References
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