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학술저널
저자정보
Habib Rastegar (Pukyong National University) Jae-Hwan Lim (Dongnam Institute for Regional Program Evaluation) Jee-Youl Ryu (Pukyong National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.4
발행연도
2016.8
수록면
443 - 450 (8page)

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The linearization technique for low noise amplifier (LNA) has been implemented in standard 0.18-㎛ BiCMOS process. The MOS-BJT derivative superposition (MBDS) technique exploits a parallel LC tank in the emitter of bipolar transistor to reduce the second-order non-linear coefficient (g<SUB>m2</SUB>) which limits the enhancement of linearity performance. Two feedback capacitances are used in parallel with the base-collector and gate-drain capacitances to adjust the phase of third-order non-linear coefficients of bipolar and MOS transistors to improve the linearity characteristics. The MBDS technique is also employed cascode configuration to further reduce the second-order nonlinear coefficient. The proposed LNA exhibits gain of 9.3 ㏈ and noise figure (NF) of 2.3 ㏈ at 2 ㎓. The excellent IIP3 of 20 ㏈m and low-power power consumption of 5.14 ㎽ at the power supply of 1 V are achieved. The input return loss (S<SUB>11</SUB>) and output return loss (S<SUB>22</SUB>) are kept below -10 ㏈ and -15 ㏈, respectively. The reverse isolation (S<SUB>12</SUB>) is better than -50 ㏈.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CIRCUIT DESIGN and LINEARIZATION
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (14)

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