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한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제3권 제2호
발행연도
1999.12
수록면
236 - 242 (7page)

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BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 r<sub>bb</sub>에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 g<sub>m</sub><sup>-1</sup>- r<sub>bb</sub>-R<sub>B</sub>값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. 에서 를 얻었다. 그리고 Hooge상수 값은 범위로 추출되었다.

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