Capacitance-voltage Characteristics of MOS Capacitors with Ge Nanocrystals Embedded in HfO₂ Gate Material

박병준 ,  이혜령 ,  조경아 외 1명

전기전자재료학회논문지

2008 .01

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Study of Ge Surface Passivation using Radical Nitridation Technique for Ge Channel MOS Transistors

Kimihiko Kato ,  Hi ,  oki Kondo 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2010 .11

GE Aircraft Engines : GE F404 for the KTX-2, and GE90 : The Engine with the Future Built In

William J. Dwye

한국항공우주학회 단행본

2000 .01

무엇이 기업을 강하게 만들 수 있는가 - GE의 사례를 중심으로

한국전자산업진흥회

전자진흥

1999 .01

MOS Capacitor의 C-V 곡선에 미치는 광의 영향

박병국 ,  이정한

대한전자공학회 학술대회

1983 .11

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

SOLID STATE TEACTIONS IN THE $Co/Si_{1-X}Ge_X$ SYSTEM

Lin ,  Wen-Tai ,  Chen 외 3명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

MOS Capacitor

서정하

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

4차 산업혁명과 GE

조원준

기계저널

2018 .05

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

Si와 Ge의 초정밀 절삭특성

원종호 ,  박상진 ,  안병민 외 4명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2000 .05

전리방사선 센서용 MOS Capacitors의 구조적 변화에 따른 감도 특성 분석

황영관 ,  이남호 ,  이현진

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

Si 기판에서의 광소자 응용을 위한 Ge 박막의 Transfer 기술개발

안창근 ,  조원주 ,  임기주 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성

이태섭 ,  구상모

전기전자재료학회논문지

2014 .01