지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 881 - 885 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Thermal reactions of Co/S$i_{0.76}$ G$e_{0.24}$ and Co/S$i_{0.54}$ G$e_{0.46}$ systems are studied. Gr segreation appeared at temperatures above 20$0^{\circ}C$ even no cobalt silicides and/or cobalt germanosilicides were formed. At a temperature of 250-50$0^{\circ}C$ Co(S$i_{1-y}$ G$e_y$) was formed, in which the Ge concentation was deficient and inhomogeneous. Ge played a crucial role in retarding the interfacial reactions between Co and S$i_{1-x}$G$e_x$ layer. At temperatures above 45$0^{\circ}C$ the island structure was formed and the Ge concentration was enriched in the surface of the exposed S$i_{1-x}$ G$e_x$ layer. At temperatures above 53$0^{\circ}C$ nearly Ge-free CoS$i_2$was formed. An interposing Si layer between Co and the S$i_{1-x}$G$e_x$ layer can alleviate the strain relaxation of the S$i_{1-x}$G$e_x$ layer during annealing.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
-
Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2002 .01
-
GE Aircraft Engines : GE F404 for the KTX-2, and GE90 : The Engine with the Future Built In
한국항공우주학회 단행본
2000 .01
-
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
-
GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )
전자공학회논문지
1989 .11
-
Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology
IEIE Transactions on Smart Processing & Computing
2014 .10
-
무엇이 기업을 강하게 만들 수 있는가 - GE의 사례를 중심으로
전자진흥
1999 .01
-
Si 기판에서의 광소자 응용을 위한 Ge 박막의 Transfer 기술개발
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
-
Si와 Ge의 초정밀 절삭특성
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2000 .05
-
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
-
Suppression of 3D Island formation in Ge / Si
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완
한국재료학회 학술발표대회
2004 .01
-
4차 산업혁명과 GE
기계저널
2018 .05
-
Role of a Surfactant in Ge / Si Growth
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
EFFECTS OF ${BF_2}^+$-IMPLANTATION ON THE STRAIN-RELAXATION AND CURRENT LEAKAGE IN N-TYPE $Ge_{0.06}Si_{0.94}$ LAYERS ON Si(100)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
-
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
-
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
-
Formation and Properties of Mg-Cu-(Si, Ge) Amorphous Alloys
한국주조공학회지 (주조)
1997 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0