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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Lin, Wen-Tai (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University) Chen, Guo-Ju (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University) Chang, C.Y. (Department of Electrical Engineering, National Chiao Tung University)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
발행연도
1995.1
수록면
881 - 885 (5page)

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Thermal reactions of Co/S$i_{0.76}$ G$e_{0.24}$ and Co/S$i_{0.54}$ G$e_{0.46}$ systems are studied. Gr segreation appeared at temperatures above 20$0^{\circ}C$ even no cobalt silicides and/or cobalt germanosilicides were formed. At a temperature of 250-50$0^{\circ}C$ Co(S$i_{1-y}$ G$e_y$) was formed, in which the Ge concentation was deficient and inhomogeneous. Ge played a crucial role in retarding the interfacial reactions between Co and S$i_{1-x}$G$e_x$ layer. At temperatures above 45$0^{\circ}C$ the island structure was formed and the Ge concentration was enriched in the surface of the exposed S$i_{1-x}$ G$e_x$ layer. At temperatures above 53$0^{\circ}C$ nearly Ge-free CoS$i_2$was formed. An interposing Si layer between Co and the S$i_{1-x}$G$e_x$ layer can alleviate the strain relaxation of the S$i_{1-x}$G$e_x$ layer during annealing.

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