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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.5
- 발행연도
- 2016.10
- 수록면
- 687 - 694 (8page)
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A differential power amplifier operating at millimeter-wave frequencies is demonstrated using a 65-nm CMOS technology. All of the input, output, and inter-stage network are implemented by transformers only, enabling impedance matching with low loss and a wide bandwidth. The millimeter-wave power amplifier exhibits measured small-signal gain exceeding 12.6 dB over a 3-dB bandwidth from 45 to 56 GHz. The output power and PAE are 13 dBm and 11.7%, respectively at 50 GHz.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. MM-WAVE PA DESIGN
III. MEASUREMENT
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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[학술지(정기간행물)] - H. Darabi / 2001 / A 2. 4-GHz CMOS transceiver for bluetooth / IEEE J. Solid-State Circuits 36 (12) : 2016 ~ 2024
[학술지(정기간행물)] - M. Zargari / 2002 / A 5-GHz CMOS transceiver for IEEE 802. 11a wireless LAN system / IEEE J. Solid-State Circuits 37 (12) : 1688 ~ 1694
[학술지(정기간행물)] - C. Marcu / 2009 / A 90 nm CMOS lowpower 60 GHz transceiver with integrated baseband circuitry / IEEE J. Solid-State Circuits 44 (12) : 3434 ~ 3447
[학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2010 / A fully-integrated 77-GHz FMCW radar transceiver in 65-nm CMOS technology / IEEE J. Solid-State Circuits 45 (12) : 2746 ~ 2756
[학술대회논문] - M. Motoyoshi / 2014 / 46 GHz differential power amplifier with 11 GHz bandwidth using on-chip transformer / Proc. IEEE Int. Symp. Radio-Freq. Integr. Technol : 1 ~ 3
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