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조가람 (서울시립대학교) 고은아 (서울시립대학교) 김소영 (서울시립대학교) 박윤희 (해성여자고등학교) 홍성은 (해성여자고등학교) 임지현 (건국대학교 사범대학 부속고등학교) 이유진 (건국대학교 사범대학 부속고등학교) 황윤정 (한국과학기술연구원) 신창환 (서울시립대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2016.11
수록면
1,175 - 1,178 (4page)

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A negative capacitor is fabricated using poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer and connected in series to an a-IZO TFT (amorphous-InZnO thin film transistor). It is experimentally demonstrated that the negative capacitance of the negative capacitor can achieve super steep switching in the a-IZO TFT (i.e., a subthreshold slope from 342 mV/decade to 221 mV/decade (forward voltage sweep) and 209 mV/decade (reverse voltage sweep) at room-temperature.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 방법
Ⅲ. 결과 및 토론
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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