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자료유형
학술저널
저자정보
황남경 (부산대학교) 임유성 (부산대학교) 이정석 (부산대학교) 이세형 (부산대학교) 이문석 (부산대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제5호
발행연도
2018.7
수록면
273 - 277 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.5.273

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본 연구는 용액공정 산화알루미늄 확산층을 가진 스퍼터링 IZO TFT에 대해 소개한다. IZO는 비정질 산화물 반도체 TFT에 가장 흔히 사용되는 물질 중 하나이다. 하지만, 대부분의 비정질 산화물 반도체 TFT는 소자의 성능을 저하시키는 많은 결함을 가지고 있는데, 이의 대부분은 채널 영역의 산소 결손이다. 기존의 많은 연구에서, 알루미늄은 산소 결손과 강한 이온 결합을 하여 채널 영역내에서 산소 결손에 의한 자유 전자의 발생을 억제하는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 용액공정 산화알루미늄 확산층을 이용하여 산소결손을 제어하여 더욱 안정화 된 IZO TFT를 제작했다. 이중 구조의 용액공정 산화 알루미늄 확산층을 가진 IZO TFT의 경우 일반적인 단일 구조의 IZO TFT에 비해 우수한 성능과 안정성을 보인다.
#Amorphous oxide semiconductor #Thin film transistor #IZO #Aluminum oxide #Diffusion layer

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M. J. Powell / 1989 / IEEE Trans. Electron Devices 36:2753 Crossref C. Park / 2015 / J. Soc. Inf. Disp. 23:371 Crossref E. Chong / 2010 / Appl. Phys. Lett. 96:152102 Crossref B. D. Ahn / 2008 / Appl. Phys. Lett. 93:203506 Crossref A. Sato / 2009 / Appl. Phys. Lett. 94:133502 Crossref

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