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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.8
- 수록면
- 469 - 473 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.469
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IZO TFT의 성능은 annealing 온도와 spin coating 속도, 박막 두께 등 다양한 요인에 의해서 영향을 받는데, 본 논문에서는 IZO TFT의 성능에 영향을 주는 요인 중 박막 두께의 달리하여 IZO 박막을 제조한 후 용액 공정을 거친 IZO TFT의 전기적인 특성에 대해서 분석하였다. 스핀 코팅의 속도가 빠를수록 두께가 얇은 박막을 제작하여 서로 다른 두께를 가지는 박막을 제작 할 수 있었다. IZO 산화물 박막 트랜지스터의 박막 두께가 30 nm인 경우 25 nm와 40 nm에 비교하여 표면이 매끄러우며 보다 높은 전기적 특성을 가지는 것을 확인하였다. 향후 디스플레이 및 투명 전자 소자의 성능 향상을 위해 빠른 이동도를 가진 소자를 제작하기 위한 기술로 응용될 것으로 판단한다.
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참고문헌 (14)
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M. Ito / 2008 / Application of amorphous oxide TFT to electrophoretic display / Journal of Non-Crystalline Solids 354(19-25):2777~2782
Tatsuya Iwasaki / 2007 / Combinatorial approach to thin-film transistors using multicomponent semiconductor channels: An application to amorphous oxide semiconductors in In–Ga–Zn–O system / Applied Physics Letters 90(24):242114
Kenji Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432(7016):488~492
Eugene Chong / 2010 / High stability of amorphous hafnium-indium-zinc-oxide thin film transistor / Applied Physics Letters 96(15):152102
Eugene Chong / 2011 / Effect of Trap Density on the Stability of SiInZnO Thin-Film Transistor under Temperature and Bias-Induced Stress / Electrochemical and Solid-State Letters 14(2):H96
Tatsuya Iwasaki / 2007 / Combinatorial approach to thin-film transistors using multicomponent semiconductor channels: An application to amorphous oxide semiconductors in In–Ga–Zn–O system / Applied Physics Letters 90(24):242114
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Eugene Chong / 2010 / High stability of amorphous hafnium-indium-zinc-oxide thin film transistor / Applied Physics Letters 96(15):152102
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