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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
한장훈 (광운대학교) 김정근 (광운대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第28卷 第5號(通卷 第240號)
발행연도
2017.5
수록면
430 - 433 (4page)

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본 논문은 0.25 um GaN HEMT 공정을 이용하여 S/C/X-대역에서 저항 피드백 구조의 저잡음 증폭기 MMIC에 관한 연구이다. GaN 소자는 높은 항복 전압과 에너지 밴드갭 그리고 고온에서 안정성을 갖는 고출력 소자로서 장점을 가진다. 따라서 높은 선형성을 가지는 GaN 소자를 이용한 수신기는 리미터 없이 구현할 수 있기 때문에 수신기의 잡음 지수가 개선되고, 수신기 모듈의 크기를 줄일 수 있다. 제안한 GaN 저잡음 증폭기 MMIC는 S/C/X-대역에서 15 dB 이상의 이득, 3 dB 이하의 잡음 지수, 13 dB 이상의 입력 반사 손실, 그리고 8 dB 이상의 출력 반사 손실을 가진다. GaN 저잡음 증폭기 MMIC는 드레인 전압 20 V, 게이트 전압 -3 V일 때, 70 mA의 전류를 소모한다.
#GaN HEMT #Wideband Resistive Feedback LNA

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. S/C/X-대역 GaN 저잡음 증폭기 MMIC 설계
Ⅲ. S/C/X-대역 GaN 저잡음 증폭기 MMIC 측정 결과
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
A. F Osman, N. Mohd. Noh, Wideband LNA design for SDR radio using balanced amplifier topology, IEEE 2 012 4th Asia Symposium on Quality Electronic Design (ASQED), Oct. 2012. Patrick Schuh, Rolf Reber, Robust X-band low noise limiting amplifiers, IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest(IMS), Jan. 2014. F. Giannini, E. Limiti, A. Serino, and V. Dainelli, A medium medium power low-noise amplifier for X-band applications, 2004 Microwave Conference, 34th European, Amsterdam, Holland, pp. 37-39. Oct. 2004. S.-E. Shih, W. R. Deal, D. M. Yamauchi, and W. E. Sutton, Design and analysis of ultra wideband GaN dualgate HEMT low-noise amplifiers, Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on, vol. 57, no. 12, pp. 3270-3277, Dec. 2009. 김홍희, 김상훈, 최진주, 최길옹, 김형주, 고입력 내성 을 위한 GaN HEMT 기반 S-대역 저잡음 증폭기, 한 국전자파학회논문지, 26(2), pp. 165-170, 2015년 2월.

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