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성하욱 (MMII연구소) 한성희 (충남대학교) 김성일 (한국전자통신연구원) 김성일 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 김동욱 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제5호(통권 제300호)
발행연도
2022.5
수록면
356 - 364 (9page)

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본 논문에서는 0.2 μm ETRI GaN HEMT 공정을 이용하여 RF 송수신기 모듈에 사용되는 X-대역 GaN monolithic microwave integrated circuit(MMIC) 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 피드백 마이크로스트립 선로를 트랜지스터 소스에 적용하여 회로의 안정성을 확보함과 동시에 최대 가용이득 및 최적 잡음지수의 열화를 최소로 하는 입력 정합 및 잡음 정합 궤적을 확보하였다. 바이어스 회로를 포함한 간단한 구조의 정합 기법이 적용된 MMIC 저잡음 증폭기는 8.7～11.5 GHz에서 20 dB 이상의 선형 이득을 가졌으며, 1.5～2.0 dB의 잡음지수를 보였다. 단일 신호 입력 조건에서 출력 P<SUB>1dB</SUB>는 17.1～24.3 dBm, 투톤(two-tone) 신호 입력 조건에서의 IMD 측정 수행 결과, 출력 IP₃는 27.4～32.4 dBm을 보였다.
#GaN #HEMT #Inductive Source Degeneration #Low Noise Amplifier #MMIC

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. X-대역 GaN MMIC 저잡음 증폭기
Ⅲ. 측정 및 결과
Ⅳ. 결론
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