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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Hakkee Jung (Kunsan National University) Sima Dimitrijev (Griffith University)
저널정보
한국정보통신학회JICCE Journal of information and communication convergence engineering Journal of information and communication convergence engineering Vol.16 No.1
발행연도
2018.3
수록면
43 - 47 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2018

Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 ㎚ Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Sima Dimit ,  ijev Journal of information and communication convergence engineering 2018.03 학술저널

2017

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2015

Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료
Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Analysis of Channel Dimension Dependent Threshold Voltage for Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료
Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

초록· 키워드

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The existing modeling of avalanche dominated breakdown in double gate MOSFETs (DGMOSFETs) is not relevant for 10 ㎚ gate lengths, because the avalanche mechanism does not occur when the channel length approaches the carrier scattering length. This paper focuses on the punch through mechanism to analyze the breakdown characteristics in 10 nm DGMOSFETs. The analysis is based on an analytical model for the thermionic-emission and tunneling currents, which is based on two-dimensional distributions of the electric potential, obtained from the Poisson equation, and the Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation for the tunneling probability. The analysis shows that corresponding flat-band-voltage for fixed threshold voltage has a significant impact on the breakdown voltage. To investigate ambiguousness of number of dopants in channel, we compared breakdown voltages of high doping and undoped DGMOSFET and show undoped DGMOSFET is more realistic due to simple flat-band-voltage shift. Given that the flat-band-voltage is a process dependent parameter, the new model can be used to quantify the impact of process-parameter fluctuations on the breakdown voltage.
#Breakdown voltage #DGMOSFET #Flat band voltage #Oxide thickness

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. THE MODEL SCHEME
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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Hakkee Jung Journal of information and communication convergence engineering 2012 .06

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-004-000405032