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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Hakkee Jung (Kunsan National University) Ohshin Kwon (Kunsan National University)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.6 No.1
발행연도
2014.6
수록면
299 - 302 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2018

Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 ㎚ Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Sima Dimit ,  ijev Journal of information and communication convergence engineering 2018.03 학술저널

2017

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2015

Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료
Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Analysis of Channel Dimension Dependent Threshold Voltage for Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료
Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

초록· 키워드

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The threshold voltage roll-off of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed for channel length and channel thickness using Gaussian doping profiles in channel. This threshold voltage roll-off is serious short channel effects like subthreshold swing degradation and drain induced barrier lowering. The asymmetric DGMOSFET to be able to make with different top and bottom gate oxide thickness can control threshold voltage by adjusting the top and bottom gate oxide thickness as well as channel length and thickness. The threshold voltage roll-off is investigated for dimension of asymmetric DGMOSFET in this study. As a result to observe threshold voltage with a parameter of top and bottom gate oxide thickness, we know the movement of threshold voltage has greatly occurred in the short channel length and thin channel thickness, and changing pattern of threshold voltage for channel length and thickness has been influenced by top and bottom gate oxide thickness.
#threshold voltage roll-off #asymmetric double gate MOSFET #Gaussian #channel length #channel thickness #gate oxide thickness

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. THE ANALYTICAL POTENTIAL MODEL AND THRESHOLD VOLTAGE
III. RESULTS AND DISCUSSION FOR MOVEMENT OF THRESHOLD VOLTAGE OF ASYMMETRIC DGMOSFET
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-004-000962602