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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제3권 제2호
발행연도
2002.6
수록면
74 - 79 (6page)

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80년대 반도체 산업의 급격한 성장으로 오늘날 반도체 산업은 반도체소자의 초고집접화, 웨이퍼의 대구경화로 발전이 거듭났으며, 소자의 성능과 생산 수율의 향상을 위하여 실리콘 웨이퍼의 세정하는 기술 및 연구를 계속 진행하고 있다. 기존의 반도체 세정은 과다한 화학약품의 사용으로 비 환경친화적이며, 이에 본 연구에서는 기존의 세정벙법을 대체하기 위한 방법으로 환경친화적인 전리수를 이용한 반도체 세정법을 하였다. 이때 실려콘 웨이퍼 표면의 원자적 상태의 변화가 발생하여 다양한 방법으로 확인할 수 있다. 본 연구에서는 이러한 분석을 하기 위하여 기존세정의 화학약품과 전리수로 세정한 웨이퍼의 표면을 비교하였으며, 또한 온도 및 시간별 표변상태변화를 분석하였다, 특히 접촉각 변화에 중점을 두어 변화를 관찰하였으며, 음극수의 경우 17.28°, 극수의 경우 34.1°의 낮은 접촉각을 얻을 수 있었다.
#Electrolyzed #Cleaning #Si wafer Surface #Contact angle #Cathode water #Anode water

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