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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.7 No.1
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 115 - 118 (4page)
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In this paper, we developed a 94 GHz low conversion loss single balanced mixer using planar Schottky diodes on GaAs substrate. The GaAs Schottky diode has a nanoscale anode with T-shaped disk, which can yield high cutoff frequency characteristics. The fabricated Schottky diode with anode diameter of 500 nm exhibits ideality factor of 1.32, junction capacitance of 8.03 fF, and cutoff frequency of 944 GHz. Based on this Schottky diode technology, 94 GHz single balanced mixer was realized. The fabricated mixer shows the average conversion loss of -7.58 dB in the RF frequency of 92.5 GHz to 95 GHz at IF frequency of 500 MHz with LO power of 7 dBm. The RF-to-LO isolation characteristics are greater than -30 dB.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. CHARACTERISTICS OF THE SCHOTTKY DIODE
III. MIXER PERFORMANCE
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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