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이용수
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THE MODEL
III. ANALYSIS OF SCEs
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2006 .03
게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화
한국정보통신학회논문지
2007 .05
폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
나노 구조 Double Gate MOSFET의 핀치오프특성에 관한 연구
한국정보통신학회논문지
2002 .11
Gate Tunneling Current and Quantum Effects in Deep Scaled MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2004 .03
Analysis of Tunneling Current for Gate Oxide Thickness of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
A Continuous Regional Current-Voltage Model for Short-channel Double-gate MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2013 .06
Short-Channel MOSFET의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the short-channel MOSFET )
한국통신학회논문지
1992 .11
Gate Oxide Thickness- and Channel Length-Dependent Subthreshold Swing Characteristics for Double-gate MOSFETs
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2011 .06
Nano MOSFET의 게이트 길이 종속 최대진동주파수 추출
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
나노구조 이중게이트 MOSFET에서 전도중심의 파라미터 의존성
한국정보통신학회논문지
2008 .03
10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
Short-Channel MOSFET의 전류-전압 특성 모델에 관한 연구 ( A Study on the Model of Current-Voltage Characteristics for Short-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
Nano-Scale MOSFET의 게이트길이 종속 차단주파수 추출
전자공학회논문지-SD
2005 .12
단채널효과를 극복할 수 있는 새로운 T자 형태의 게이트를 갖는 Grooved Gate MOSFET 소자구조에 관한 연구
전기학회논문지
1997 .11
Short Channel Effect 극복을 위한 Sub-micron Grooved Gate MOSFET
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET
한국정보통신학회논문지
2005 .12
대칭형 이중 게이트 MOSFET에 대한 문턱전압 연구
한국인터넷방송통신학회 논문지
2010 .01
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