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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.7 No.1
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 105 - 108 (4page)
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This paper analyzes the deviation of tunneling current for the change of top and bottom gate oxide thickness of sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. The influence of tunneling current is investigated in this study as the portion of tunneling current for off current was calculated for the change of top and bottom gate oxide thickness. The tunneling current is obtained by the WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation and analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, the tunneling current is significantly influenced by gate oxide thickness in asymmetric DGMOSFET with the channel length under 10 nm. Especially it showed the great deviation with parameters of top and bottom gate voltage.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. Potential distribution and tunneling current model
III. Results and discussion for tunneling current of asymmetric DGMOSFET
IV. DISCUSSION AND CONCLUSIONS
REFERENCES
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