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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.4 No.1
- 발행연도
- 2004.3
- 수록면
- 27 - 31 (5page)
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목차
ABSTRACT
1. Introduction
2. Design for Leaky MOS Capacitor
3. Gate Current for Circuit Simulation
4. Impact of Gate Current On Circuits
5. Gate Tunneling in Double-Gate SOI
6. Summary
REFERENCES
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