메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Thu Thi Thuy Pham (Hongik University) Hyungsik Shin (Hongik University) Eugene Chong (Agency for Defense Development) Ho-Young Cha (Hongik University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.5
발행연도
2018.10
수록면
645 - 649 (5page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.5.645

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Typical gallium nitride (GaN) PIN avalanche photodiodes (APDs) are fabricated using a beveled mesa structure due to the difficulty of the ion-implantation process for GaN. The bevel angle of mesa structure must be very small in order to suppress the localized electric field at the junction sidewall that limits the maximum APD gain. In this study, we proposed a double-step mesa structure that can suppress the high electric field at the junction sidewall while maximizing the electric field strength inside the active region under the avalanche bias condition.
#Avalanche photodiode #gallium nitride #bevel #breakdown voltage #gain

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
III. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. V. Hove, M. Blasingame, “High-responsibility photoconductive ultraviolet sensors based on insulating single-crystal GaN epilayers”, Applied Physics Letters, 1992, 60, p. 2917. H. Y. Cha, H. K. Sung, H. Kim, C. H. Cho, P. M. Sandvik, “4H-SiC Avalanche Photodiodes for 280nm UV Detection”, IEICE Transactions on Electronics, 2010, E93.C, pp. 648-650. D. Gedamu, I. Paulowicz, S. Kaps, O. Lupan, S. Wille, G. Haidarschin, Y. K. Mishra, R. Adelung, “Rapid Fabrication Technique for Interpenetrated ZnO Nanotetrapod Networks for Fast UV sensors”, Advanced Materials, 2014, 26, pp. 1541-1550. J. I Kang, H. Kim, C. Y. Han, H. Yang, S. R. Jeon, B. Park, H. J. Cha, “Enhanced UV absorption of GaN photodiodes with a ZnO quantum dot coating layer”, Optics Express, 2018, 26, pp. 8296-8300. J. Millan, P. Godignon, “Wide Band Gap power semiconductor devices”, Electron Device (CDE), 2013 Spanish Conference on, 2013, pp. 2163-4971.

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

Effects of PECVD SiO₂ Gate Dielectric Thickness on Recessed AlGaN/GaN MOS-HFETs
Hyun-Seop Kim ,  Won-Ho Jang ,  Su-Keun Eom 외 5명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 .04
A Sensitivity-controllable Shear-stress Sensor with 2 Sets of +45/-45 Degree Semiconductor Resistor-sensor Pair
Chun-Hyung Cho ,  Ho-Young Cha ,  Hyuk-Kee Sung JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 .04
Tunable RF 기기 적용을 위한 ALD-HfO₂의 마이크로파 대역 강유전체 특성 고찰
한상우 ,  이창현 ,  이정해 외 1명 전기전자학회논문지 2018 .09
PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구
김현섭 ,  이재길 ,  임종태 외 1명 전기전자학회논문지 2018 .09

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-569-000047702