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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 253 - 256 (4page)
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단결정상의 ZnO 에피 박막 성장을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 수행하였다. 200~600oC까지의 기판의 온도를 변화하여 가면서 ZnO 에피 박막의 성장 거동을 조사하였으며, 성장된 ZnO 박막에 대하여 산소분위기에서 400, 600, 800oC에서 각각 아닐링을 하여 이에 대한 광 특성을 평가하였다. Hall measurement에 의해 측정 된 carrier concentratin은 600oC에서 아닐링하여 2.6×1016 cm-3이었다.
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/ 1995 / ？Low temperature formation of textures ZnO transparent electrodes by magnetron sputtering : 1053 ~
/ 1999 / ZnO ultraviolet lasers 12 : 9 ~
/ 2000 / ？Photoluminescence and hetroepitaxy of ZnO on sapphire substrate(0001) grown by rf magnetron sputtering : 2864 ~
/ 2002 / Physical and structural properties of ZnO sputtered films : 67 ~
/ 2002 / Strong ultraviolet and green emissions at room temperature from annealed ZnO thin films 41 : 666 ~
/ 1999 / ZnO ultraviolet lasers 12 : 9 ~
/ 2000 / ？Photoluminescence and hetroepitaxy of ZnO on sapphire substrate(0001) grown by rf magnetron sputtering : 2864 ~
/ 2002 / Physical and structural properties of ZnO sputtered films : 67 ~
/ 2002 / Strong ultraviolet and green emissions at room temperature from annealed ZnO thin films 41 : 666 ~
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