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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 215 - 219 (5page)
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ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도 는 약 0.1~0.2 mm/hr 였으며, 기판온도가 600oC일 때, 약 400~500 nm 두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.
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G. Xiong / 2002 / Control of p- and n-type conductivity in sputter deposition of undoped ZnO 80 : 1195 ~
K. Ozaki / 2002 / Strong ultraviolet photoluminescence in polycrystalline ZnO sputtered films . 41 : 5614 ~
K. Tamura / 1999 / ZnO ultraviolet lasers 12 : 9 ~
K.K. Kim / 2000 / Photoluminescence and hetroepitaxy of ZnO on sapphire substrate grown by rf magnetron sputtering : 2864 ~
O. Agycman / 2002 / Strong ultraviolet and green emissions at room temperature from annealed ZnO thin films 41 : 666 ~
K. Ozaki / 2002 / Strong ultraviolet photoluminescence in polycrystalline ZnO sputtered films . 41 : 5614 ~
K. Tamura / 1999 / ZnO ultraviolet lasers 12 : 9 ~
K.K. Kim / 2000 / Photoluminescence and hetroepitaxy of ZnO on sapphire substrate grown by rf magnetron sputtering : 2864 ~
O. Agycman / 2002 / Strong ultraviolet and green emissions at room temperature from annealed ZnO thin films 41 : 666 ~
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